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Terminaison à bride

Les terminaisons à bride sont installées à l'extrémité d'un circuit, qui absorbent les signaux transmis dans le circuit et empêchent la réflexion du signal, affectant ainsi la qualité de transmission du système de circuit.

La borne à bride est assemblée en soudant une résistance de borne à un seul fil avec des brides et des patchs.La taille de la bride est généralement conçue en fonction de la combinaison des trous d'installation et des dimensions de la résistance des bornes.La personnalisation peut également être effectuée en fonction des exigences d'utilisation du client.


  • :
  • Détail du produit

    Mots clés du produit

    Terminaison à bride

    Terminaison à bride
    Principales spécifications techniques :

    Puissance nominale : 5-1500 W ;
    Matériaux de substrat : BeO, AlN, Al2O3
    Valeur de résistance nominale : 50 Ω
    Tolérance de résistance : ±5 %, ±2 %, ±1 %
    Coefficient de température : <150 ppm/℃
    Température de fonctionnement : -55 ~ + 150 ℃
    Revêtement de bride : placage nickel ou argent en option
    Norme ROHS : conforme à
    Norme applicable : Q/RFTYTR001-2022
    Longueur du fil : L comme spécifié dans la fiche technique
    (peut être personnalisé selon les exigences du client)

    zxczxc1
    Pouvoir
    (W)
    Fréquence
    Gamme
    Dimension (unité : mm) SubstratMatériel Configuration Fiche de données
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 GHz 13,0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG. 1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIG. 1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG2   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10W 4 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1,5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705((R,L))
    6 GHz 13,0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG. 1   RFT50A-10TM1304
    AIN FIG. 1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIG. 1   RFT50A-10TM1104
    AIN FIG. 1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 FIG2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      AIN FIG2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8 GHz 13,0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG. 1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIG. 1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1,5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705I
    20W 4 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1,5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-20TM7705((R,L))
    6 GHz 13,0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AIN FIG. 1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AIN FIG. 1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AIN FIG2   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8 GHz 13,0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG. 1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIG. 1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1,5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705I
    30W 6 GHz 16,0 6.0 13,0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AIN FIG. 1   RFT50N-30TJ1606
    BeO FIG. 1   RFT50-30TM1606
    20,0 6.0 14,0 6.0 1,5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AIN FIG. 1   RFT50N-30TJ2006
    BeO FIG. 1   RFT50-30TM2006
    13,0 6.0 10,0 6.0 1,5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AIN FIG2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO FIG2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60W 6 GHz 16,0 6.0 13,0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AIN FIG. 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO FIG. 1   RFT50-60TM1606
    20,0 6.0 14,0 6.0 1,5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AIN FIG. 1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO FIG. 1   RFT50-60TM2006
    13,0 6.0 10,0 6.0 1,5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AIN FIG2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO FIG2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Pouvoir
    (W)
    Fréquence
    Gamme
    Dimensions (unité : mm) Substrat
    Matériel
    Configuration Fiche technique (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100W 3 GHz 24,8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG. 1   RFT50-100TM2595
    4 GHz 16,0 6.0 13,0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50N-100TM1606
    20,0 6.0 14,0 9.0 1,5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50N-100TJ2006
    24,8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50-100TM2506
    16,0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23,0 10,0 17,0 10,0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50-100TJ2310
    24,8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-100TJ2510
    5 GHz 13,0 6h35 10,0 6h35 1,5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6h35 12,0 6h35 1,5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO FIG. 1   RFT50-100TM1663
    6 GHz 16,0 6.0 13,0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 AIN FIG. 1   RFT50N-100TJ1606B
    20,0 6.0 14,0 8.9 1,5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AIN FIG. 1   RFT50N-100TJ2006B
    8 GHz 20,0 6.0 14,0 8.9 1,5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AIN FIG. 1   RFT50N-100TJ2006C
    150W 3 GHz 16,0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22,0 9.5 14,0 6h35 1,5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN FIG. 1   RFT50N-150TJ2295
    24,8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG. 1   RFT50-150TM2595
    24,8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-150TM2510
    4 GHz 16,0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23,0 10,0 17,0 10,0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-150TJ2310
    24,8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-150TJ2510
    200W 3 GHz 24,8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG. 1   RFT50-200TM2595
    24,8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-200TM2510
    4 GHz 16,0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23,0 10,0 17,0 10,0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-200TJ2310
    24,8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-150TJ2510
    10 GHz 32,0 12.7 22,0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG. 1   RFT50-200TM3213B
    250W 3 GHz 23,0 10,0 17,0 12,0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-250TM2310
    24,8 10,0 18.4 12,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-250TM2510
    27,0 10,0 21,0 12,0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50-250TM2710
    10 GHz 32,0 12.7 22,0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG. 1   RFT50-250TM3213B
    300W 3 GHz 23,0 10,0 17,0 12,0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50-300TM2310
    24,8 10,0 18.4 12,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-300TM2510
    27,0 10,0 21,0 12,0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50-300TM2710
    10 GHz 32,0 12.7 22,0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG. 1   RFT50-300TM3213B
    400W 2 GHz 32,0 12.7 22,0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG. 1   RFT50-400TM3213
    500W 2 GHz 32,0 12.7 22,0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG. 1   RFT50-500TM3213
    800W 1 GHz 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO FIG5   RFT50-800TM4826
    1000W 1 GHz 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO FIG5   RFT50-1000TM4826
    1500W 0,8 GHz 50,0 78,0 40,0 26,0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15,0 4.2 BeO FIG5   RFT50-1500TM5078

    Aperçu

    La bride est généralement en nickel plaqué cuivre ou en argent.Le substrat de résistance est généralement constitué d'oxyde de béryllium, de nitrure d'aluminium et d'oxyde d'aluminium imprimé en fonction des exigences de puissance et des conditions de dissipation thermique.

    La terminaison à bride, comme la terminaison au plomb, est principalement utilisée pour absorber les ondes de signal transmises à l'extrémité du circuit, empêcher la réflexion du signal d'affecter le circuit et garantir la qualité de transmission du système de circuit.

    La terminaison à bride présente la caractéristique d'une installation facile par rapport aux résistances patch en raison de sa bride et de ses trous de montage sur la bride.


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