Terminaison au plomb
Principales spécifications techniques :
Puissance nominale : 5-800 W ;
Matériaux de substrat : BeO, AlN, Al2O3
Valeur de résistance nominale : 50 Ω
Tolérance de résistance : ±5 %, ±2 %, ±1 %
coefficient de température : <150 ppm/℃
Température de fonctionnement : -55 ~ + 150 ℃
Norme ROHS : conforme à
Norme applicable : Q/RFTYTR001-2022
Longueur du fil : L comme spécifié dans la fiche technique
(peut être personnalisé selon les exigences du client)
Pouvoir(W) | Fréquence | Dimensions (unité : mm) | SubstratMatériel | Fiche technique (PDF) | |||||
A | B | H | G | W | L | ||||
5W | 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
11 GHz | 1.27 | 2,54 | 0,5 | 1.0 | 0,8 | 3.0 | AIN | RFT50N-05TJ1225 | |
10W | 4 GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-10TM2550 |
6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
8 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM0404 | |
10 GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5035 | |
18 GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5023 | |
20W | 4 GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-20TM2550 |
6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
8 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM0404 | |
10 GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5035 | |
18 GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5023 | |
30W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AIN | RFT50N-30TJ0606 |
6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-30TM0606 | ||
60W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AIN | RFT50N-60TJ0606 |
6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TM0606 | ||
6h35 | 6h35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TJ6363 | ||
100W | 3 GHz | 6h35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | AIN | RFT50N-100TJ6395 |
8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | AIN | RFT50N-100TJ8957 | ||
9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ9595 | ||
4 GHz | 10,0 | 10,0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ1010 | |
6 GHz | 6h35 | 6h35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ6363 | |
8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | AIN | RFT50N-100TJ8957B | ||
8 GHz | 9.0 | 6.0 | 1,5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ0906C | |
150W | 3 GHz | 6h35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | AIN | RFT50N-150TJ6395 |
9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ9595 | ||
4 GHz | 10,0 | 10,0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010 | |
6 GHz | 10,0 | 10,0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010B | |
200W | 3 GHz | 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ9595 |
4 GHz | 10,0 | 10,0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ1010 | |
10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TM1313B | |
250W | 3 GHz | 12,0 | 10,0 | 1,5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1210 |
10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1313B | |
300W | 3 GHz | 12,0 | 10,0 | 1,5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1210 |
10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1313B | |
400W | 2 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-400TM1313 |
500W | 2 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-500TM1313 |
800W | 1 GHz | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | BeO | RFT50-800TM2525 |
La terminaison au plomb est réalisée en sélectionnant la taille et les matériaux de substrat appropriés en fonction des différentes exigences de fréquence et de puissance, via la résistance, l'impression de circuits et le frittage.Les matériaux de substrat couramment utilisés peuvent être principalement de l'oxyde de béryllium, du nitrure d'aluminium, de l'oxyde d'aluminium ou des matériaux de meilleure dissipation thermique.
Terminaison au plomb, divisée en processus de couche mince et processus de couche épaisse.Il est conçu en fonction d'exigences spécifiques de puissance et de fréquence, puis traité selon un processus.Si vous avez des besoins particuliers, veuillez contacter notre personnel commercial pour vous proposer des solutions spécifiques de personnalisation.