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Résiliation au plomb

La terminaison de plomb est une résistance installée à la fin d'un circuit, qui absorbe les signaux transmis dans le circuit et empêche la réflexion du signal, affectant ainsi la qualité de transmission du système de circuit. Il est installé à la fin du circuit par soudage. L'objectif principal est d'absorber les ondes de signal transmis à la fin du circuit, d'empêcher la réflexion du signal d'affecter le circuit et d'assurer la qualité de transmission du système de circuit.


  • Principaux spécifications techniques:
  • Puissance nominale:5-800W
  • Matériaux de substrat:Beo 、 aln 、 al2o3
  • Valeur de résistance nominale:50Ω
  • Tolérance à la résistance:± 5% 、 ± 2% 、 ± 1%
  • Coefficient d'empérature:< 150 ppm / ℃
  • Température de fonctionnement:-55 ~ + 150 ℃
  • Norme ROHS:Conforme à
  • Longueur du plomb:L comme spécifié dans la fiche technique
  • Conception personnalisée disponible sur demande:
  • Détail du produit

    Tags de produit

    Résiliation au plomb

    Résiliation au plomb
    Principaux spécifications techniques:
    Alimentation nominale: 5-800W ;
    Matériaux de substrat: beo 、 aln 、 al2o3
    Valeur de résistance nominale: 50Ω
    Tolérance à la résistance: ± 5% 、 ± 2% 、 ± 1%
    Coefficient d'empérature : < 150 ppm / ℃
    Température de fonctionnement: -55 ~ + 150 ℃
    Norme ROHS: conforme à
    Norme applicable: Q / RFTYTR001-2022
    Longueur du plomb: l comme spécifié dans la fiche technique
    (peut être personnalisé en fonction des exigences du client)

    Classé1
    Pouvoir(W) Fréquence Dimensions (unité: mm) SubstratMatériel Fiche technique (PDF)
    A B H G W L
    5W 6 GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3     RFT50A-05TM0404
    11 GHz 1.27 2.54 0,5 1.0 0.8 3.0 Aln     RFT50N-05TJ1225
    10W 4 GHz 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 Beo     RFT50-10TM2550
    6 GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50A-10TM0404
    8 GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Beo     RFT50-10TM0404
    10 GHz 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 Beo     RFT50-10TM5035
    18 GHz 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 Beo     RFT50-10TM5023
    20W 4 GHz 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 Beo     RFT50-20TM2550
    6 GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50N-20TJ0404
    8 GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Beo     RFT50-20TM0404
    10 GHz 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 Beo     RFT50-20TM5035
    18 GHz 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 Beo     RFT50-20TM5023
    30W 6 GHz 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 Aln     RFT50N-30TJ0606
    6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 Beo     RFT50-30TM0606
    60W 6 GHz 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 Aln     RFT50N-60TJ0606
    6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 Beo     RFT50-60TM0606
    6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 Beo     RFT50-60TJ6363
    100W 3 GHz 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 Aln     RFT50N-100TJ6395
    8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 Aln     RFT50N-100TJ8957
    9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 Beo     RFT50-100TJ9595
    4 GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 Beo     RFT50-100TJ1010
    6 GHz 6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 Beo     RFT50-100TJ6363
    8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 Aln     RFT50N-100TJ8957B
         
    8 GHz 9.0 6.0 1.5 2.0 1.0 5.0 Beo     RFT50-100TJ0906C
    150W 3 GHz 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 Aln     RFT50N-150TJ6395
    9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 Beo     RFT50-150TJ9595
    4 GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 Beo     RFT50-150TJ1010
    6 GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 Beo     RFT50-150TJ1010B
    200W 3 GHz 9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 Beo     RFT50-200TJ9595
     
    4 GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 Beo     RFT50-200TJ1010
    10 GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 Beo     RFT50-200TM1313B
    250W 3 GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 Beo     RFT50-250TM1210
    10 GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 Beo     RFT50-250TM1313B
    300W 3 GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 Beo     RFT50-300TM1210
    10 GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 Beo     RFT50-300TM1313B
    400W 2 GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 Beo     RFT50-400TM1313
    500W 2 GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 Beo     RFT50-500TM1313
    800W 1 GHz 25.4 25.4 3.2 4 6 7 Beo     RFT50-800TM2525

    Aperçu

    La terminaison de plomb est effectuée en sélectionnant la taille et les matériaux du substrat appropriés en fonction des différentes exigences en matière de fréquence et des exigences d'alimentation, par la résistance, l'impression de circuits et le frittage. Les matériaux de substrat couramment utilisés peuvent être principalement de l'oxyde de béryllium, du nitrure d'aluminium, de l'oxyde d'aluminium ou de meilleurs matériaux de dissipation thermique.

    Terminaison au plomb, divisée en processus à couches minces et processus de film épais. Il est conçu sur la base des exigences de puissance et de fréquence spécifiques, puis traitées par processus. Si vous avez des besoins spéciaux, veuillez contacter notre personnel de vente pour fournir des solutions spécifiques pour la personnalisation.


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