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Terminaison à bride
Les terminaisons à brides sont installées en bout de circuit. Elles absorbent les signaux transmis et empêchent leur réflexion, ce qui influe sur la qualité de transmission du système. La borne à bride est assemblée en soudant une résistance à une seule broche à l'aide de brides et de pastilles. La taille de la bride est généralement déterminée en fonction du nombre de trous de fixation et des dimensions de la résistance. Une personnalisation est également possible selon les besoins spécifiques du client.
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Atténuateur RFTXXN-100AJ8957-3 à fils, atténuateur RF CC~3,0 GHz
Modèle RFTXXN-100AJ8957-3 (XX = valeur d'atténuation) Impédance 50 Ω Plage de fréquences CC à 3,0 GHz ROS 1,20 max Puissance nominale 100 W Valeur d'atténuation 13, 20, 30 dB Tolérance d'atténuation ±1,0 dB Coefficient de température < 150 ppm/°C Matériau du substrat AlN Matériau du chapeau en porcelaine Matériau du conducteur moyen Argent sterling 99,99 % Technologie de résistance Couche épaisse Température de fonctionnement -55 à +150 °C (Voir la section sur la réduction de puissance) Schéma d'encombrement (Unité : mm/pouce) La longueur des conducteurs peut être personnalisée selon les besoins... -
Atténuateur microruban
L'atténuateur microruban est un composant qui atténue les signaux dans la bande de fréquences micro-ondes. Son utilisation sous forme d'atténuateur fixe est répandue dans des domaines tels que les communications micro-ondes, les systèmes radar et les communications par satellite, permettant ainsi un contrôle précis de l'atténuation du signal dans les circuits. Contrairement aux atténuateurs patch classiques, les puces d'atténuateur microruban nécessitent un assemblage dans un boîtier de dimensions spécifiques, via une connexion coaxiale, pour réaliser l'atténuation du signal entre l'entrée et la sortie.
Conception personnalisée disponible sur demande.
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Atténuateur RF RFT20N-60AM6363-6 à fils, CC ~ 6,0 GHz
Modèle RFT20N-60AM6363-6 (XX = valeur d'atténuation) Impédance 50 Ω Plage de fréquences CC à 6,0 GHz ROS 1,25 max Puissance nominale 60 W Valeur d'atténuation 20 dB Tolérance d'atténuation ±0,8 dB Coefficient de température < 150 ppm/°C Matériau du substrat AlN Matériau du chapeau en porcelaine Al2O3 Fils Argent sterling 99,99 % Technologie de résistance Couche épaisse Température de fonctionnement -55 à +150 °C (Voir la section sur la réduction de puissance) Schéma d'encombrement (Unité : mm/pouce) La longueur des fils peut être personnalisée selon les besoins du client... -
Atténuateur RFTXX-60AM6363B-3 à fils, atténuateur RF CC~3,0 GHz
Modèle RFTXX-60AM6363B-3 (XX = valeur d'atténuation) Impédance 50 Ω Plage de fréquences CC à 3,0 GHz ROS 1,25 max Puissance nominale 60 W Valeur d'atténuation 0,1-10 dB/16 dB/20 dB Tolérance d'atténuation ±0,6 dB/±0,8 dB/±1,0 dB Coefficient de température < 150 ppm/℃ Matériau du substrat BeO Porcelaine Matériau du chapeau Al2O3 Plomb Argent sterling 99,99 % Technologie de résistance Couche épaisse Température de fonctionnement -55 à +150 °C (Voir la section sur la réduction de puissance) Schéma d'encombrement (Unité : mm/pouce) La longueur des fils peut être ajustée... -
Atténuateur RFTXXA-05AM0404-3 à fils, atténuateur RF CC~3,0 GHz
Modèle RFTXXA-05AM0404-3 (XX = valeur d'atténuation) Impédance 50 Ω Plage de fréquences CC à 3,0 GHz ROS 1,20 max Puissance nominale 5 W Valeur d'atténuation (dB) 01-10/15, 17, 20/25, 30 Tolérance d'atténuation (dB) ±0,6/±0,8/±1,0 Coefficient de température <150 ppm/℃ Matériau du substrat Al2O3 Matériau du chapeau en porcelaine Al2O3 Fils Argent sterling 99,99 % Technologie de résistance Couche épaisse Température de fonctionnement -55 à +150 °C (Voir la section sur la réduction de puissance) Schéma d'encombrement (Unité : mm/pouce) Longueur des fils ... -
circulateur à microbande
Le circulateur microruban est un dispositif RF/micro-ondes couramment utilisé pour la transmission et l'isolation des signaux dans les circuits. Il utilise la technologie des couches minces pour créer un circuit sur une ferrite magnétique rotative, puis un champ magnétique est appliqué pour le rendre fonctionnel. L'installation des dispositifs annulaires microruban se fait généralement par brasage manuel ou par câblage avec des bandes de cuivre et des fils d'or. La structure des circulateurs microruban est très simple, comparée à celle des circulateurs coaxiaux et intégrés. La différence la plus notable est l'absence de cavité. Le conducteur du circulateur microruban est réalisé par un procédé de dépôt en couche mince (pulvérisation cathodique sous vide) pour créer le motif sur la ferrite rotative. Après électrodéposition, le conducteur ainsi obtenu est fixé au substrat de ferrite rotative. Une couche de matériau isolant est ensuite déposée sur le conducteur, et un champ magnétique est appliqué sur ce matériau. C'est grâce à cette structure simple qu'un circulateur microruban est fabriqué.
Gamme de fréquences 2,7 à 40 GHz.
Applications militaires, spatiales et commerciales.
Faible perte d'insertion, isolation élevée, puissance admissible élevée.
Conception personnalisée disponible sur demande.
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Circulateur à large bande
Le circulateur à large bande est un composant essentiel des systèmes de communication RF, offrant de nombreux avantages qui le rendent parfaitement adapté à diverses applications. Ces circulateurs assurent une couverture à large bande, garantissant des performances optimales sur une large gamme de fréquences. Grâce à leur capacité d'isolation des signaux, ils préviennent les interférences provenant de signaux hors bande et préservent l'intégrité des signaux dans la bande. L'un des principaux atouts des circulateurs à large bande réside dans leurs excellentes performances d'isolation. Par ailleurs, ces dispositifs annulaires présentent de bonnes caractéristiques d'ondes stationnaires au niveau des ports, réduisant les signaux réfléchis et assurant une transmission stable du signal.
Gamme de fréquences de 56 MHz à 40 GHz, bande passante jusqu'à 13,5 GHz.
Applications militaires, spatiales et commerciales.
Faible perte d'insertion, isolation élevée, puissance admissible élevée.
Conception personnalisée disponible sur demande.
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Atténuateur RFTXX-60CA6363B-3 (puce) - Atténuateur RF CC~3,0 GHz
Modèle RFTXX-60CA6363B-3 (XX = valeur d'atténuation) Plage de résistance : 50 Ω Plage de fréquences : CC à 3,0 GHz ROS : 1,25 max Puissance : 60 W Valeur d'atténuation (dB) : 1-10 dB/11-20 dB/21-30 dB Tolérance d'atténuation (dB) : ±0,6 dB/±0,8 dB/±1,0 dB Coefficient de température : <150 ppm/℃ Matériau du substrat : BeO Technologie de résistance : Couche épaisse Température de fonctionnement : -55 à +150 °C (voir la section « Déclassement de puissance ») Méthode d'installation : Déclassement de puissance : Diagramme de temps et de température de refusion Désignation P/N… -
Atténuateur à puce RFTXXN-20CA5025C-3, atténuateur RF CC~3,0 GHz
Modèle RFTXXN-20CA5025C-3 (XX = valeur d'atténuation) Plage de résistance : 50 Ω Plage de fréquences : CC à 3,0 GHz ROS : 1,25 max Puissance : 20 W Valeur d'atténuation (dB) : 1-10 dB/11-20 dB/21-30 dB Tolérance d'atténuation (dB) : ±0,6 dB/±0,8 dB/±1,0 dB Coefficient de température : <150 ppm/℃ Matériau du substrat : AlN Technologie de résistance : Couche épaisse Température de fonctionnement : -55 à +150 °C (voir la section sur la réduction de puissance) Performances typiques : Graphique à 2 dB Graphique à 20 dB Graphique à 6 dB Graphique à 30 dB Méthode d'installation… -
Atténuateur à puce RFTXXN-10CA5025C-6, atténuateur RF CC~6,0 GHz
Modèle RFTXXN-10CA5025C-6 (XX = valeur d'atténuation) Plage de résistance : 50 Ω Plage de fréquences : CC à 6,0 GHz ROS : 1,25 max Puissance : 10 W Valeur d'atténuation (dB) : 1-10 dB/11-20 dB Tolérance d'atténuation (dB) : ±0,6 dB/±0,8 dB Coefficient de température : <150 ppm/℃ Matériau du substrat : AlN Technologie de résistance : Couche épaisse Température de fonctionnement : -55 à +150 °C (voir la section sur la réduction de puissance) Performances typiques : Graphique à 6 dB Graphique à 20 dB Méthode d'installation Réduction de puissance Temps de soudage par refusion et… -
Résistance RF à fils RFTXX-250RM1313K
Modèle RFTXX-250RM1313K Puissance 250 W Résistance XX Ω~ (10-1000 Ω personnalisable) Tolérance de résistance ±5 % Capacité 2,0 pF à 100 Ω Coefficient de température < 150 ppm/°C Substrat BeO Revêtement AL2O3 Pôle Cuivre Argent Élément résistif Couche épaisse Température de fonctionnement -55 à +150 °C (Voir la section sur la réduction de puissance) Procédures de montage recommandées Réduction de puissance Profil de refusion Désignation P/N Attention ■ Après une période de stockage de 6 mois pour les composants neufs...
