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  • Résistance RFTXX-30CR2550W RÉSISTOIRE RF

    Résistance RFTXX-30CR2550W RÉSISTOIRE RF

    Modèle RFTXX-30CR2550W POWER 30 W RÉSISTANCE XX ω (10 ~ 3000Ω personnalisable) Tolérance à la résistance ± 5% Coefficient de température <150 ppm / ℃ SUBSTRAT BEO RESSÉSIVER Élément de fonctionnement épais Température de fonctionnement -55 à + 150 ° C (Voir DE DE DES ÉLECTRATIV dépasse 6 mois, l'attention doit être accordée à la soudabilité avant utilisation. Il est recommandé ...
  • Résistance RFTXX-30CR2550TA RÉSISTOIRE RF

    Résistance RFTXX-30CR2550TA RÉSISTOIRE RF

    Modèle RFTXX-30CR2550TA POWER 30W Résistance xx ω (10 ~ 3000Ω personnalisable) Tolérance à la résistance ± 5% Coefficient de température <150 ppm / ℃ SUBSTRAT BEO RESSÉSIVER Élément de fonctionnement épais Température de fonctionnement -55 à + 150 ° C (Voir DE DE DÉSÉRIEUR DE POWER) APRÈS DES PROCÉDURES DE MAISON APRÈS POWER DES PLUS DE RÉDUCTION POWER DE RÉDIGNE dépasse 6 mois, l'attention doit être accordée à la soudabilité avant utilisation. Il est recommandé ...
  • RFTXX-30RM2006 Résistance à la résistance à bride RF

    RFTXX-30RM2006 Résistance à la résistance à bride RF

    Modèle RFTXX-30RM2006 POWER 30 W RÉSISTANCE XX ω (10 ~ 2000Ω personnalisable) Tolérance à la résistance ± 5% Capacité 2,6 PF @ 100Ω Coefficient de température <150 ppm / ℃ SUBLERTE COUVERTURE AL2O3 Mount-Fange Bras (Unité: mm) La longueur du fil de plomb peut répondre aux exigences du client Tolérance à la taille des exigences: 5%, sauf indication contraire, suggérer ...
  • RFTXX-30RM1306 RESTRATION RF

    RFTXX-30RM1306 RESTRATION RF

    Modèle RFTXX-30RM1306 POWER 30 W RÉSISTANCE XX ω (10 ~ 2000Ω personnalisable) Tolérance à la résistance ± 5% Capacité 2,6 PF @ 100Ω Coefficient de température <150 ppm / ℃ SUBSTRATE COUVERTURE AL2O3 MONTENTION DU BRAS LASSE 99.999% Éléments purement de la ligne de réédition de fonctionnement Température -55 à + 150 ° C ( (Unité: mm) La longueur du fil de plomb peut répondre aux exigences du client Tolérance à la taille des exigences: 5%, sauf indication contraire, suggérer ...
  • Isolateur à double jonction

    Isolateur à double jonction

    Un isolateur à double jonction est un dispositif passif couramment utilisé dans les bandes de fréquence des micro-ondes et millimètres pour isoler les signaux inversés de l'extrémité de l'antenne. Il est composé de la structure de deux isolateurs. Sa perte d'insertion et son isolement sont généralement deux fois par rapport à un seul isolateur. Si l'isolement d'un seul isolateur est de 20 dB, l'isolement d'un isolateur à double jonction peut souvent être de 40 dB. Le port VSWR ne change pas beaucoup. Dans le système, lorsque le signal radiofréquence est transmis du port d'entrée à la première jonction annulaire, car une extrémité de la première jonction annulaire est équipée d'une résistance de fréquence radio, son signal ne peut être transmis qu'à l'extrémité d'entrée de la deuxième jonction annulaire. La deuxième jonction de boucle est la même que la première, avec des résistances RF installées, le signal sera transmis au port de sortie, et son isolement sera la somme de l'isolement des deux jonctions de boucle. Le signal inverse qui revient du port de sortie sera absorbé par la résistance RF dans la deuxième jonction d'anneau. De cette façon, un grand degré d'isolement entre les ports d'entrée et de sortie est obtenu, réduisant efficacement les réflexions et les interférences dans le système.

    Plage de fréquences de 10 MHz à 40 GHz, jusqu'à 500 W.

    Applications militaires, spatiales et commerciales.

    Faible perte d'insertion, isolement élevé, manipulation élevée de puissance.

    Conception personnalisée disponible sur demande.

     

  • Isolateur SMT / SMD

    Isolateur SMT / SMD

    L'isolateur SMD est un dispositif d'isolement utilisé pour l'emballage et l'installation sur un PCB (carte de circuit imprimé). Ils sont largement utilisés dans les systèmes de communication, les équipements micro-ondes, l'équipement radio et d'autres champs. Les isolateurs SMD sont petits, légers et faciles à installer, ce qui les rend adaptés aux applications de circuit intégré à haute densité. Ce qui suit fournira une introduction détaillée aux caractéristiques et aux applications des isolateurs SMD. Tout d'abord, les isolateurs SMD ont une large gamme de capacités de couverture de bande de fréquence. Ils couvrent généralement une large gamme de fréquences, tels que 400 MHz-18GHz, pour répondre aux exigences de fréquence des différentes applications. Cette grande capacité de couverture des bandes de fréquences permet aux isolateurs SMD de fonctionner parfaitement dans plusieurs scénarios d'application.

    Plage de fréquences de 200 MHz à 15 GHz.

    Applications militaires, spatiales et commerciales.

    Faible perte d'insertion, isolement élevé, manipulation élevée de puissance.

    Conception personnalisée disponible sur demande.

  • RFTXX-20RM0904 RH

    RFTXX-20RM0904 RH

    Modèle RFTXX-20RM0904 POWER 20 W RÉSISTANCE XX ω (10 ~ 3000Ω personnalisable) Tolérance à la résistance ± 5% Capacité 1,2 PF @ 100Ω Coefficient de température <150 ppm / ℃ Abstrat BEO Couverture AL2O3 Montage du moustill (Unité: mm) La longueur du fil de plomb peut répondre aux exigences du client Tolérance à la taille des exigences: 5%, sauf indication contraire, suggérer ...
  • Isolateur à microrgies

    Isolateur à microrgies

    Les isolateurs de microstrip sont un dispositif RF et micro-ondes couramment utilisé utilisé pour la transmission du signal et l'isolement dans les circuits. Il utilise une technologie à couches minces pour créer un circuit au-dessus d'une ferrite magnétique rotative, puis ajoute un champ magnétique pour y parvenir. L'installation d'isolateurs microruban adopte généralement la méthode de soudage manuel des bandes de cuivre ou de la liaison en fil d'or. La structure des isolateurs de microruban est très simple que par rapport aux isolateurs coaxiaux et intégrés. La différence la plus évidente est qu'il n'y a pas de cavité, et le conducteur de l'isolateur microruban est fabriqué en utilisant un processus à couches minces (pulvérisation de vide) pour créer le motif conçu sur la ferrite rotative. Après électroplastion, le conducteur produit est attaché au substrat de ferrite rotatif. Fixez une couche de milieu isolant sur le dessus du graphique et fixez un champ magnétique sur le milieu. Avec une structure aussi simple, un isolateur à microruban a été fabriqué.

    Plage de fréquences de 2,7 à 43 GHz

    Applications militaires, spatiales et commerciales.

    Faible perte d'insertion, isolement élevé, manipulation élevée de puissance.

    Conception personnalisée disponible sur demande.

  • CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC ~ 3,0 GHz terminaison d'intermodulation faible

    CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC ~ 3,0 GHz terminaison d'intermodulation faible

    Model CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Frequency Range DC~3.0GHz VSWR 1.20 Max PIM3 ≥120dBc@2*33dBm Power 50W Impedance 50 Ω Connector Type DIN-M (J) Waterproof Grade IP65 Dimension 60×60×80mm Operating Temperature -55 ~ +125°C (See de Power De-rating) Color Black Weight Around 410 g Utiliser la désignation P / N de la puissance d'attention
  • RFTXX-20RM1304 Renstor RF

    RFTXX-20RM1304 Renstor RF

    Modèle RFTXX-20RM1304 POWER 20 W RÉSISTANCE XX Ω (10 ~ 3000Ω personnalisable) Tolérance à la résistance ± 5% Capacité 1,2 PF @ 100Ω Coefficient de température <150 ppm / ℃ SUBLERTE COUVERTURE COUVERT (Unité: mm) La longueur du fil de plomb peut répondre aux exigences du client Tolérance à la taille des exigences: 5% Sauf indication contraire des suggestions ...
  • WH3234A / WH3234B 2,0 à 4,2 GHz en circulation
  • RFT50-100CT6363 DC ~ 5,0 GHz RF terminaison

    RFT50-100CT6363 DC ~ 5,0 GHz RF terminaison

    Modèle RFT50-100CT6363 Plage de fréquences DC ~ 5,0 GHz POWER 100 W Plage de résistance 50 Ω Tolérance à la résistance ± 5% VSWR DC ~ 4,0 GHz 1,20maxdc ~ 5,0 GHz 1,25max Coefficient de température <150PPM / ℃ Material du substrat BEO Technologie de résistance) Projet de température épaisse -55 à + 155 O Détecture du temps de reflux et du diagramme de température: P / N La désignation est nécessaire à l'attention ■ Après le stockage P ...